11月22日，2019年新當選科學院院士名單正式公布。硅襯底LED技術發明人、晶能光電創始人、南昌大學副校長江風益教授赫列其中，這是國家對其科學成就的*高榮譽，也是繼硅襯底LED技術獲得2015年國家技術發明獎一等獎以來，我國LED照明領域的又一件大喜事。

早在1997年，江風益教授便開始了LED技術的研究工作，但不滿足于跟蹤模仿，2003年江風益教授率領團隊開始研究在硅襯底上生長氮化鎵LED材料，2005年取得重大技術突破，并在2006年和王敏等人引進風險投資共同創立了晶能光電，在全球率先實現了硅襯底藍光LED大規模產業化。2015年國家技術發明獎一等獎花落硅襯底LED技術，奠定了我國在全球硅襯底LED技術領域的主導地位。

硅襯底藍光LED技術歷經十三年的迭代升級，產品性能與國際大廠并跑，晶能光電的硅襯底藍光LED芯片擁有自主知識產權，可大功率大電流驅動，單面出光方向性好，散熱好可靠性高，在大功率照明領域如汽車照明、手機閃光燈、高端移動照明等領域具有廣泛的應用，成功實現進口替代，出貨量均位居行業前列。同時，由硅襯底LED藍光技術催生了一條以晶能光電-晶能半導體-中節能晶和照明-綠野汽車照明為主力企業的硅襯底LED產業鏈，并且在江西省政府打造南昌光谷、建設千億產業基地的政策紅利下，吸引了越來越多的LED企業，如中微半導體、鴻利光電、兆馳光電、乾照光電、易美芯光等企業落戶南昌，在南昌形成了擁有完整自主知識的LED產業集群。

硅襯底LED技術遠遠不止于藍光LED，以硅襯底LED藍光技術為基礎，可擴展至紫外、黃綠光、電子器件等領域。晶能光電成功開發出了國內*的硅襯底紫外LED光源，大量應用于在工業固化（油墨、印刷等）、美甲、誘蚊等領域，在國內出貨量也位居前列。在前沿技術領域，晶能光電將大尺寸硅襯底LED技術的優勢延伸至Micro LED和氮化鎵電子器件，特別是氮化鎵電子器件，在材料外延領域處于國內*。同時江風益教授團隊的硅襯底LED黃綠光技術水平處于世界*水平，技術成果獲得包括諾貝爾物理學獎獲得者中村修二等國際權威的認可。

可以想象，硅襯底LED技術是一項根技術，可以覆蓋紫外、藍光、綠光、電子器件等各項分支技術，由各項分支技術可催生出多鏈產業，不斷開枝散葉，茁壯成長。晶能光電CEO王敏對此非常有信心，他說：江風益教授當選院士是對硅襯底LED技術的又一大貢獻，未來五年，通過技術開放、基金支持、筑巢引鳳，以硅襯底LED技術為基礎，硅襯底LED產業將吸引并孵化上百家企業，在南昌形成300億元規模的高端特種照明產業集群。

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