實驗室凈化工程干凈室的平面和空間設計，應將干凈實驗區(qū)和人員凈化、設備資料凈化和其他輔助用房停止分區(qū)布置。同時應思索實驗操作、工藝設備裝置和維修、氣流式、管線布置以及凈化空氣調理系統(tǒng)等各種技術設備的綜合諧和效果。 肯定實驗室凈化工程干凈室空氣干凈度等級時，首先要滿足實驗內容和實驗儀器設備對空氣干凈度的請求，然后還要依據(jù)實驗操作步驟和實驗程序規(guī)劃,綜合思索各個實驗區(qū)域的不同凈化等級請求，從而做到既滿足凈化請求又節(jié)約本錢支出。室內各種固定技術設備（如送風口、照明器、回風口、各種管線等）的布置，宜首先思索實驗室凈化工程凈化空氣調理系統(tǒng)的請求。

干凈室中的溫濕度控制 干凈空間的溫濕度主要是依據(jù)工藝請求來肯定，但在滿足工藝請求的條件下，應思索到人的溫馨度感。隨著空氣干凈度請求的進步，呈現(xiàn)了工藝對溫濕度的請求也越來越嚴的趨向。詳細工藝對溫度的請求以后還要羅列，但作為總的準繩看，由于加工精度越來越精密，所以對溫度動搖范圍的請求越來越小。例如在大范圍集成電路消費的光刻曝光工藝中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱收縮系數(shù)的差請求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就惹起了0.24um線性收縮，所以必需有±0.1度的恒溫，同時請求濕度值普通較低，由于人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超越25度，濕渡過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超越55%時，冷卻水管壁上會結露，假如發(fā)作在精細安裝或電路中，就會惹起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將經(jīng)過空氣中的水分子把硅片外表粘著的灰塵化學吸附在外表難以肅清。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于外表，同時大量半導體器件容易發(fā)作擊穿。關于硅片消費最佳濕度范圍為35—45%。

這里有必要先闡明一下無窗干凈室的照明方式： (1)普通照明它指不思索特殊的部分需求，為照亮整個被照面積而設置的照明。 (2)部分照明這是指為增加某一指定地點（如工作點）的照度而設置的照明。但在室內照明由普通不單獨運用部分照明。 (3)混合照明這是指工作面上的照度由普通照明和部分照明合成的照明，其中普通照明的照度按《干凈廠房設計標準》應占總照度的10%—15%，但不低干150LX。 單位被照面積上承受的光通量即是照明單位勒克斯(LX)。國外干凈室的強度請求極高，例如美國關于干凈室的幾個規(guī)范的請求是． 人工光300lx有較好的效果，當工件精密水平更高時，500x也是允許的。關于要紅燈照明的中央，如電子行業(yè)的光刻車間，其照度普通為(25—501x)，用自然光時可允許更高的照度，因此對工作是有利的，所以今后干凈室的照明既采用人工光也采用自然光可能是有出路的，這也是為了節(jié)能而呈現(xiàn)的一種意向。 4、防靜電干凈室中由于靜電惹起的的事故屢有發(fā)作，因而干凈室的防靜電才能如何已成為評價其質量的一個不可無視的方面。