單向流干凈室 單向流干凈室普通有兩品種型，即程度流和垂直流。在程度流系統(tǒng)中，氣流是從一面墻流向另一面墻。在垂直流系統(tǒng)中，氣流是從吊頂流向空中。對請求干凈室的懸浮粒子濃度或微生物濃度更低的場所，就運用單向氣流。以前稱這類干凈室為“層流”干凈室。單向流和層流的稱號均闡明了其氣流的情況：氣流以一個方向活動（或是垂直的或是程度的），并以普通是0.3米/秒至0.5米/秒（60英尺/分鐘至100英尺/分鐘）的均速流過整個空間。由滿布干凈室吊頂?shù)母咝н^濾器向室內(nèi)送風。氣流有如一個空氣活塞，向下流經(jīng)室內(nèi)，帶走污染物，然后從空中排出。又在與外部的一些新穎空氣混合后，再循環(huán)至高效過濾器。人員和工藝所產(chǎn)生的懸浮污染可立刻被這種空氣肅清掉，而紊流通風系統(tǒng)采用的是混合與稀釋原理。在一間沒有任何障礙物的空房間，單向流用比前面提到的低得多的風速，就能夠很快將污染物肅清。但在一個操作間，機器以及機器四周走動的人員，會對氣流構成障礙。障礙物能夠使單向流變成紊流，從而在障礙物四周構成氣流團。人員的活動也能夠使單向流變成紊流。在這些紊流中，由于風速較低，空氣稀釋水平較小，從而使得污染濃度較高。

干凈室中的溫濕度控制 干凈空間的溫濕度主要是依據(jù)工藝請求來肯定，但在滿足工藝請求的條件下，應思索到人的溫馨度感。隨著空氣干凈度請求的進步，呈現(xiàn)了工藝對溫濕度的請求也越來越嚴的趨向。詳細工藝對溫度的請求以后還要羅列，但作為總的準繩看，由于加工精度越來越精密，所以對溫度動搖范圍的請求越來越小。例如在大范圍集成電路消費的光刻曝光工藝中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱收縮系數(shù)的差請求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就惹起了0.24um線性收縮，所以必需有±0.1度的恒溫，同時請求濕度值普通較低，由于人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超越25度，濕渡過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超越55%時，冷卻水管壁上會結露，假如發(fā)作在精細安裝或電路中，就會惹起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將經(jīng)過空氣中的水分子把硅片外表粘著的灰塵化學吸附在外表難以肅清。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于外表，同時大量半導體器件容易發(fā)作擊穿。關于硅片消費最佳濕度范圍為35—45%。

實驗室凈化分類 亂流式 空氣由空調(diào)箱經(jīng)風管與干凈室內(nèi)之空氣過濾器(HEPA) 進入干凈室，并由干凈室兩側(cè)隔間墻板或高架地板回風。氣流非直線型運動而呈不規(guī)則之亂流或渦流狀態(tài)。此型式適用于干凈室等級1,000-100,000級。 優(yōu)點：結構簡單、系統(tǒng)建形成本低，干凈室的擴大比擬容易，在某些特殊用處場所，可并用無塵工作臺，進步干凈室等級。 缺陷：亂流形成的微塵粒子于室內(nèi)空間飄浮不易排出，易污染制程產(chǎn)品。另外若系統(tǒng)中止運轉(zhuǎn)再激活，欲達需求之干凈度，常常須耗時相當長一段時間