實驗室凈化原理： 亂流干凈室的主要特性是歷來流到出流（從送風口到回風口）之間氣流的流通截面是變化的，干凈室截面比送風口截面大得多，因此不能在全室截面或者在全室工作區截面構成勻速氣流。所以，送風口以后的流線彼此有很大或者越來越大的夾角，曲率半徑很小，氣流在室內不可能以單一方向活動，將會彼此撞擊，將有回流、旋渦產生。這就決議亂流干凈室的流態本質是：突變流；非平均流。 這比用紊流來描繪亂流干凈室更確切、更全面。紊流主要決議于雷諾數，也就是主要受流速的影響，但是假如采用一個高效過濾器頂送的送風方式，則即便流速極低，也要產生上述各種結果，這就由于它是一個突變流和非平均流。因而這種狀況下不只有流層之間因紊流活動而發作的摻混，而且還有全室范圍內的大的回流、旋渦所發作的摻混。

干凈室中的溫濕度控制 干凈空間的溫濕度主要是依據工藝請求來肯定，但在滿足工藝請求的條件下，應思索到人的溫馨度感。隨著空氣干凈度請求的進步，呈現了工藝對溫濕度的請求也越來越嚴的趨向。詳細工藝對溫度的請求以后還要羅列，但作為總的準繩看，由于加工精度越來越精密，所以對溫度動搖范圍的請求越來越小。例如在大范圍集成電路消費的光刻曝光工藝中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱收縮系數的差請求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就惹起了0.24um線性收縮，所以必需有±0.1度的恒溫，同時請求濕度值普通較低，由于人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超越25度，濕渡過高產生的問題更多。相對濕度超越55%時，冷卻水管壁上會結露，假如發作在精細安裝或電路中，就會惹起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將經過空氣中的水分子把硅片外表粘著的灰塵化學吸附在外表難以肅清。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于外表，同時大量半導體器件容易發作擊穿。關于硅片消費最佳濕度范圍為35—45%。

實驗室凈化分類 亂流式 空氣由空調箱經風管與干凈室內之空氣過濾器(HEPA) 進入干凈室，并由干凈室兩側隔間墻板或高架地板回風。氣流非直線型運動而呈不規則之亂流或渦流狀態。此型式適用于干凈室等級1,000-100,000級。 優點：結構簡單、系統建形成本低，干凈室的擴大比擬容易，在某些特殊用處場所，可并用無塵工作臺，進步干凈室等級。 缺陷：亂流形成的微塵粒子于室內空間飄浮不易排出，易污染制程產品。另外若系統中止運轉再激活，欲達需求之干凈度，常常須耗時相當長一段時間