在規劃實驗室凈化工程干凈室時，需求留意的是實驗室凈化工程干凈室位置選擇方面，要服從干凈等級的設計請求，應選擇大氣含塵濃度較低，自然環境較好的區域和地段，要遠離落葉和空氣異味的場所，（如河邊、食堂四周、動力區域等），還要盡量避開振動或噪聲干擾的區域。充沛理解和計算精密 設備、儀器、儀表等環境振動值對設備的影響，停止剖析權衡。實驗室凈化工程干凈室的污染源，普通主要是大氣中含塵、含菌、塵粒和微生物以及實驗人員的發塵、實驗設備和實驗操作過程中的產塵等。因而建筑圍護構造質量和建筑施工辦法對堅持和進步實驗室凈化工程干凈室的規范具有重要意義。 實驗室凈化工程干凈室的外面圍護構造，如門窗、墻板、吊頂板、凈化器過濾器、電器燈具等方面要充沛思索其保溫、隔熱、防火、防潮、密閉性能好的請求，做到不產塵、無裂痕、可擦洗、耐濕潤，板縫平齊密封，壓縫條平直縫隙小。空中則力圖做到耐磨、耐沖擊、耐火、耐腐蝕性好，不易產生靜電，外表不易附著塵粒。

干凈室中的溫濕度控制 干凈空間的溫濕度主要是依據工藝請求來肯定，但在滿足工藝請求的條件下，應思索到人的溫馨度感。隨著空氣干凈度請求的進步，呈現了工藝對溫濕度的請求也越來越嚴的趨向。詳細工藝對溫度的請求以后還要羅列，但作為總的準繩看，由于加工精度越來越精密，所以對溫度動搖范圍的請求越來越小。例如在大范圍集成電路消費的光刻曝光工藝中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱收縮系數的差請求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就惹起了0.24um線性收縮，所以必需有±0.1度的恒溫，同時請求濕度值普通較低，由于人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超越25度，濕渡過高產生的問題更多。相對濕度超越55%時，冷卻水管壁上會結露，假如發作在精細安裝或電路中，就會惹起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將經過空氣中的水分子把硅片外表粘著的灰塵化學吸附在外表難以肅清。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于外表，同時大量半導體器件容易發作擊穿。關于硅片消費最佳濕度范圍為35—45%。

實驗室凈化分類 亂流式 空氣由空調箱經風管與干凈室內之空氣過濾器(HEPA) 進入干凈室，并由干凈室兩側隔間墻板或高架地板回風。氣流非直線型運動而呈不規則之亂流或渦流狀態。此型式適用于干凈室等級1,000-100,000級。 優點：結構簡單、系統建形成本低，干凈室的擴大比擬容易，在某些特殊用處場所，可并用無塵工作臺，進步干凈室等級。 缺陷：亂流形成的微塵粒子于室內空間飄浮不易排出，易污染制程產品。另外若系統中止運轉再激活，欲達需求之干凈度，常常須耗時相當長一段時間