干凈室中的溫濕度控制 干凈空間的溫濕度主要是依據工藝請求來肯定，但在滿足工藝請求的條件下，應思索到人的溫馨度感。隨著空氣干凈度請求的進步，呈現了工藝對溫濕度的請求也越來越嚴的趨向。詳細工藝對溫度的請求以后還要羅列，但作為總的準繩看，由于加工精度越來越精密，所以對溫度動搖范圍的請求越來越小。例如在大范圍集成電路消費的光刻曝光工藝中，作為掩膜板資料的玻璃與硅片的熱收縮系數的差請求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就惹起了0.24um線性收縮，所以必需有±0.1度的恒溫，同時請求濕度值普通較低，由于人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超越25度，濕渡過高產生的問題更多。相對濕度超越55%時，冷卻水管壁上會結露，假如發作在精細安裝或電路中，就會惹起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將經過空氣中的水分子把硅片外表粘著的灰塵化學吸附在外表難以肅清。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于外表，同時大量半導體器件容易發作擊穿。關于硅片消費最佳濕度范圍為35—45%。

干凈室中的氣流速度規則 這里要討論的氣流速度是指干凈室內的氣流速度，在其他干凈空間中的氣流速度在討論詳細設備時再闡明。 關于亂流干凈室 由于主主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的水平，所以主要用換氣次數這一概念，而不直接用速度的概念，不過對室內氣流速度也有如下請求； (1)送風口出口吻流速度不宜太大，和單純空調房間相比，請求速度衰減更快，擴散角度更大。 (2)吹過程度面的氣流速度（例如側送時回流速度）不宜太大，以免吹起外表微粒重返氣流，而形成再污染，這一速度普通不宜大干0.2m/s。 關于平行流干凈室《習氣上稱層流干凈室），由于主要靠氣流的“活塞打擠壓作用掃除行染，所以截面上的速度就是十分重要的指標。過去都參考美國20gB規范，采用0.45m/s．但人們也都理解到這樣大速度所需求的通風量是極大的，為了節能，也都在探求降低風速的可行性。 在我國，《空氣干凈技術措施》和(干凈廠房設計標準）都是這樣規則的 垂直平行流（層流）干凈室≥0.25m/s 程度平行流（層流）干凈室≥0.35 m/s

這里有必要先闡明一下無窗干凈室的照明方式： (1)普通照明它指不思索特殊的部分需求，為照亮整個被照面積而設置的照明。 (2)部分照明這是指為增加某一指定地點（如工作點）的照度而設置的照明。但在室內照明由普通不單獨運用部分照明。 (3)混合照明這是指工作面上的照度由普通照明和部分照明合成的照明，其中普通照明的照度按《干凈廠房設計標準》應占總照度的10%—15%，但不低干150LX。 單位被照面積上承受的光通量即是照明單位勒克斯(LX)。國外干凈室的強度請求極高，例如美國關于干凈室的幾個規范的請求是． 人工光300lx有較好的效果，當工件精密水平更高時，500x也是允許的。關于要紅燈照明的中央，如電子行業的光刻車間，其照度普通為(25—501x)，用自然光時可允許更高的照度，因此對工作是有利的，所以今后干凈室的照明既采用人工光也采用自然光可能是有出路的，這也是為了節能而呈現的一種意向。 4、防靜電干凈室中由于靜電惹起的的事故屢有發作，因而干凈室的防靜電才能如何已成為評價其質量的一個不可無視的方面。