在一些蝕刻情況下，蝕刻會(huì)削弱掩模層，并產(chǎn)生形成空腔的傾斜側(cè)壁，底切的距離稱(chēng)為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們?cè)诤衲のg刻期間導(dǎo)致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對(duì)熱或機(jī)械類(lèi)型的應(yīng)力非常敏感，晶圓，也稱(chēng)為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；zui常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。

蝕刻幾微米的非常薄的層將去除在背面研磨過(guò)程中產(chǎn)生的微裂紋，導(dǎo)致晶片具有顯著增加的強(qiáng)度和柔性，對(duì)于各向同性濕法蝕刻，氫氟酸、硝酸和乙酸(HNA)的混合物是硅zui常見(jiàn)的蝕刻劑溶劑，每種蝕刻劑的濃度決定了蝕刻速率，二氧化硅或氮化硅經(jīng)常被用作對(duì)抗HNA的掩蔽材料，彩色不銹鋼蝕刻板具有較高的耐磨、抗刻劃特性高于普通不銹鋼，常用于酒店、賓館、娛樂(lè)場(chǎng)所、gao檔皮牌專(zhuān)賣(mài)店、車(chē)廂板、廳堂墻板、天花板、招牌、門(mén)窗裝飾等。

現(xiàn)在可以對(duì)涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱(chēng)為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過(guò)在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來(lái)避免這種情況，加工出來(lái)的產(chǎn)品沒(méi)有毛刺，沒(méi)有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無(wú)法加工的高精密產(chǎn)品。