蝕刻是從材料表面去除材料的過程，蝕刻的兩種主要類型是濕蝕刻和干蝕刻（例如，等離子體蝕刻），涉及使用液體化學藥品或蝕刻劑去除基板材料的蝕刻工藝稱為濕蝕刻，通常所指金屬蝕刻加工也被稱為化學蝕刻加工，通過制版，經(jīng)過曝光（紫外線圖像轉移）到金屬上面，將圖案顯影后，將要蝕刻的保護層去掉，在蝕刻過程中接觸化學藥水，讓兩面的圖案通過化學腐蝕研磨的作用，形成凹凸和鏤空成形的效果，金屬蝕刻加工具有很強的針對性的工藝。

在一些蝕刻情況下，蝕刻會削弱掩模層，并產(chǎn)生形成空腔的傾斜側壁，底切的距離稱為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們在厚膜蝕刻期間導致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對熱或機械類型的應力非常敏感，晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；zui常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。

現(xiàn)在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產(chǎn)品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產(chǎn)品。