蝕刻是從材料表面去除材料的過程，蝕刻的兩種主要類型是濕蝕刻和干蝕刻（例如，等離子體蝕刻），涉及使用液體化學藥品或蝕刻劑去除基板材料的蝕刻工藝稱為濕蝕刻，通常所指金屬蝕刻加工也被稱為化學蝕刻加工，通過制版，經過曝光（紫外線圖像轉移）到金屬上面，將圖案顯影后，將要蝕刻的保護層去掉，在蝕刻過程中接觸化學藥水，讓兩面的圖案通過化學腐蝕研磨的作用，形成凹凸和鏤空成形的效果，金屬蝕刻加工具有很強的針對性的工藝。

當反應發生時，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因為液體蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉移非常重要，通常禁止濕法化學蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層，濕法刻蝕是半導體制造，微機械和微流控設備中的重要過程，需要微尺度的特征來優化性能或創建層流態，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應用。

現在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產品。