另一方面，濕蝕刻僅是化學過程，干蝕刻等向性蝕刻與異向性蝕刻同時存在，濕蝕刻：利用化學藥液將需要蝕刻掉的物質蝕刻掉，濕蝕刻為等向性蝕刻，濕蝕刻機臺便宜，蝕刻速度快，但難以jing確控制線寬和獲得極其精細的圖形并且需要大量用水，污染大；干蝕刻機臺價格昂貴，蝕刻速度速度慢，但可以jing確控制線寬能獲得極其精細的圖形，而且不需要用水，污染小，蝕刻工藝是一項工業應用，涉及到我們生活中的全方面應用，在工業制造中是不可缺少的中間工藝，其應用領域緊密的以我們生活中的“吃、穿、住、行”為主要應用，無論是行業應用，或者是生活生產，蝕刻工藝是不可取代，且不可缺失的。

當反應發生時，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因為液體蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉移非常重要，通常禁止濕法化學蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層，濕法刻蝕是半導體制造，微機械和微流控設備中的重要過程，需要微尺度的特征來優化性能或創建層流態，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應用。

缺點包括許多化學廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區域以獲得器件所需的詳細功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當將腐蝕劑（一種腐蝕性化學品）施加到被掩膜的晶圓上時，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區域中，蝕刻會以相同的速率發生，從而產生倒圓的邊緣。