在等離子體蝕刻工藝中，也稱為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來去除襯底材料，干蝕刻會(huì)產(chǎn)生氣態(tài)產(chǎn)物，這些產(chǎn)物應(yīng)擴(kuò)散到大量氣體中并通過真空系統(tǒng)排出，干蝕刻有三種類型（例如等離子蝕刻）：化學(xué)反應(yīng)（通過使用反應(yīng)性等離子體或氣體），物理去除（通常通過動(dòng)量傳遞）以及化學(xué)反應(yīng)和物理去除的組合，干蝕刻：利用不易被物理、化學(xué)作用破壞的物質(zhì)光阻來阻擋不欲去除的部分，利用電漿的離子轟擊效應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)去掉想去除的部分，從而將所需要的線路圖形留在玻璃基板上。

蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應(yīng)該根據(jù)用途具有特定的深度，產(chǎn)生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時(shí)間和蝕刻速率來控制，執(zhí)行蝕刻機(jī)制的成功之處在于，多層結(jié)構(gòu)的頂層應(yīng)該被完全去除，而在底層或掩模層中沒有任何種類的損傷，這完全取決于兩種材料的蝕刻速率之比，稱為選擇性，蝕刻加工的優(yōu)點(diǎn)主要體現(xiàn)在以下幾點(diǎn)：蝕刻加工完的產(chǎn)品無毛刺，生產(chǎn)效率也高，大批量，密集的小孔同樣可以穩(wěn)定的批量生產(chǎn)；精密度可以越來越高，zui高管控的精度是可以達(dá)到+/-0。

現(xiàn)在可以對(duì)涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產(chǎn)品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無法加工的高精密產(chǎn)品。