在等離子體蝕刻工藝中，也稱為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來去除襯底材料，干蝕刻會產生氣態產物，這些產物應擴散到大量氣體中并通過真空系統排出，干蝕刻有三種類型（例如等離子蝕刻）：化學反應（通過使用反應性等離子體或氣體），物理去除（通常通過動量傳遞）以及化學反應和物理去除的組合，干蝕刻：利用不易被物理、化學作用破壞的物質光阻來阻擋不欲去除的部分，利用電漿的離子轟擊效應和化學反應去掉想去除的部分，從而將所需要的線路圖形留在玻璃基板上。

在一些蝕刻情況下，蝕刻會削弱掩模層，并產生形成空腔的傾斜側壁，底切的距離稱為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們在厚膜蝕刻期間導致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對熱或機械類型的應力非常敏感，晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；zui常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。

現在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產品。