蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應(yīng)該根據(jù)用途具有特定的深度，產(chǎn)生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率來控制，執(zhí)行蝕刻機制的成功之處在于，多層結(jié)構(gòu)的頂層應(yīng)該被完全去除，而在底層或掩模層中沒有任何種類的損傷，這完全取決于兩種材料的蝕刻速率之比，稱為選擇性，蝕刻加工的優(yōu)點主要體現(xiàn)在以下幾點：蝕刻加工完的產(chǎn)品無毛刺，生產(chǎn)效率也高，大批量，密集的小孔同樣可以穩(wěn)定的批量生產(chǎn)；精密度可以越來越高，zui高管控的精度是可以達到+/-0。

當反應(yīng)發(fā)生時，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學(xué)蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因為液體蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉(zhuǎn)移非常重要，通常禁止?jié)穹ɑ瘜W(xué)蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層，濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造，微機械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。

缺點包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區(qū)域以獲得器件所需的詳細功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預(yù)烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當將腐蝕劑（一種腐蝕性化學(xué)品）施加到被掩膜的晶圓上時，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區(qū)域中，蝕刻會以相同的速率發(fā)生，從而產(chǎn)生倒圓的邊緣。