另一方面，濕蝕刻僅是化學(xué)過程，干蝕刻等向性蝕刻與異向性蝕刻同時存在，濕蝕刻：利用化學(xué)藥液將需要蝕刻掉的物質(zhì)蝕刻掉，濕蝕刻為等向性蝕刻，濕蝕刻機臺便宜，蝕刻速度快，但難以jing確控制線寬和獲得極其精細(xì)的圖形并且需要大量用水，污染大；干蝕刻機臺價格昂貴，蝕刻速度速度慢，但可以jing確控制線寬能獲得極其精細(xì)的圖形，而且不需要用水，污染小，蝕刻工藝是一項工業(yè)應(yīng)用，涉及到我們生活中的全方面應(yīng)用，在工業(yè)制造中是不可缺少的中間工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域緊密的以我們生活中的“吃、穿、住、行”為主要應(yīng)用，無論是行業(yè)應(yīng)用，或者是生活生產(chǎn)，蝕刻工藝是不可取代，且不可缺失的。

缺點包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區(qū)域以獲得器件所需的詳細(xì)功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預(yù)烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當(dāng)將腐蝕劑（一種腐蝕性化學(xué)品）施加到被掩膜的晶圓上時，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區(qū)域中，蝕刻會以相同的速率發(fā)生，從而產(chǎn)生倒圓的邊緣。

現(xiàn)在可以對涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產(chǎn)品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產(chǎn)品。