在等離子體蝕刻工藝中，也稱(chēng)為干蝕刻，使用等離子體或蝕刻氣體來(lái)去除襯底材料，干蝕刻會(huì)產(chǎn)生氣態(tài)產(chǎn)物，這些產(chǎn)物應(yīng)擴(kuò)散到大量氣體中并通過(guò)真空系統(tǒng)排出，干蝕刻有三種類(lèi)型（例如等離子蝕刻）：化學(xué)反應(yīng)（通過(guò)使用反應(yīng)性等離子體或氣體），物理去除（通常通過(guò)動(dòng)量傳遞）以及化學(xué)反應(yīng)和物理去除的組合，干蝕刻：利用不易被物理、化學(xué)作用破壞的物質(zhì)光阻來(lái)阻擋不欲去除的部分，利用電漿的離子轟擊效應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)去掉想去除的部分，從而將所需要的線(xiàn)路圖形留在玻璃基板上。

蝕刻是微制造過(guò)程中的一個(gè)重要步驟，術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層，這是一個(gè)非常重要的過(guò)程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過(guò)程，用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱(chēng)為掩模材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻，該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化，蝕刻加工是現(xiàn)在常用的加工方式，主要應(yīng)用在金屬蝕刻、蝕刻標(biāo)牌、蝕刻五金以及PCB電路板上，蝕刻加工相比于傳統(tǒng)的沖壓、激光雕刻等方式，更加靈活，也更方便。

現(xiàn)在可以對(duì)涂覆的晶片進(jìn)行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應(yīng)足夠長(zhǎng)的時(shí)間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱(chēng)為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過(guò)在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來(lái)避免這種情況，加工出來(lái)的產(chǎn)品沒(méi)有毛刺，沒(méi)有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機(jī)械的工藝都無(wú)法加工的高精密產(chǎn)品。