蝕刻是從材料表面去除材料的過程，蝕刻的兩種主要類型是濕蝕刻和干蝕刻（例如，等離子體蝕刻），涉及使用液體化學(xué)藥品或蝕刻劑去除基板材料的蝕刻工藝稱為濕蝕刻，通常所指金屬蝕刻加工也被稱為化學(xué)蝕刻加工，通過制版，經(jīng)過曝光（紫外線圖像轉(zhuǎn)移）到金屬上面，將圖案顯影后，將要蝕刻的保護(hù)層去掉，在蝕刻過程中接觸化學(xué)藥水，讓兩面的圖案通過化學(xué)腐蝕研磨的作用，形成凹凸和鏤空成形的效果，金屬蝕刻加工具有很強(qiáng)的針對性的工藝。

當(dāng)反應(yīng)發(fā)生時(shí)，材料以類似于向下蝕刻的速度被橫向移除，濕化學(xué)蝕刻通常是各向同性的，即使存在掩模，因?yàn)橐后w蝕刻劑可以滲透到掩模下面，如果方向性對于高分辨率圖案轉(zhuǎn)移非常重要，通常禁止?jié)穹ɑ瘜W(xué)蝕刻工藝，濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層，濕法刻蝕是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的，由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。

缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程，在蝕刻之前，需要掩蓋襯底的區(qū)域以獲得器件所需的詳細(xì)功能，在稱為光刻的過程中，將光敏光刻膠旋涂到晶圓上，然后將晶片預(yù)烘烤以除去光刻膠中多余的溶劑，然后將具有所需特征的切口的掩模放置在光致抗蝕劑的頂部，并使用紫外光固化任何曝光的光致抗蝕劑，當(dāng)將腐蝕劑（一種腐蝕性化學(xué)品）施加到被掩膜的晶圓上時(shí)，在所有方向上未被掩膜覆蓋的區(qū)域中，蝕刻會以相同的速率發(fā)生，從而產(chǎn)生倒圓的邊緣。